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IXFH160N15T2 发布时间 时间:2025/7/18 19:29:41 查看 阅读:2

IXFH160N15T2 是一款由 Littelfuse(前身为 IXYS Corporation)制造的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流、高效率的电源转换应用。该器件采用了先进的平面沟道技术,具备较低的导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适用于如 DC-DC 转换器、电机控制、逆变器以及工业电源等需要高可靠性和高功率密度的系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):150V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):160A
  导通电阻(Rds(on)):最大值 5.5mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247AC
  功率耗散(Ptot):300W

特性

IXFH160N15T2 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗,提高整体系统效率。该器件的额定漏极电流高达 160A,适合用于高功率密度的设计。此外,它具有良好的热稳定性,能够在极端工作条件下保持稳定性能,确保长期运行的可靠性。
  另一个关键特性是其栅极驱动电压范围较宽,支持 ±20V 的最大栅源电压,这使得该器件能够与多种驱动电路兼容,包括常见的 10V 和 12V 栅极驱动器。同时,其快速开关能力有助于减少开关损耗,提高转换效率,适用于高频开关电源应用。
  IXFH160N15T2 采用 TO-247AC 封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于高功率应用场景。此外,该器件的封装设计也有助于简化 PCB 布局和散热器安装,提高系统设计的灵活性。

应用

IXFH160N15T2 广泛应用于多种高功率电子系统中,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其中主要的应用包括:DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化和控制系统。
  在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,实现高效的电压转换。在电机驱动系统中,IXFH160N15T2 可以作为 H 桥结构中的功率开关,提供高电流驱动能力并减少发热损耗。此外,在新能源系统如太阳能逆变器中,该器件可用于 DC-AC 转换环节,提高系统整体效率。
  由于其高可靠性和宽温度范围,IXFH160N15T2 也适用于汽车电子、工业电源和储能系统等对稳定性要求较高的领域。

替代型号

IXFH180N15T2, IXFH160N15T2B2

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IXFH160N15T2产品

IXFH160N15T2参数

  • 现有数量22现货
  • 价格1 : ¥71.55000管件
  • 系列HiPerFET?, TrenchT2?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)160A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)253 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15000 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)880W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247AD(IXFH)
  • 封装/外壳TO-247-3