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IXFH15N100Q 发布时间 时间:2025/12/29 14:04:53 查看 阅读:10

IXFH15N100Q是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流功率MOSFET器件。该器件采用TO-247封装形式,适用于需要高效率和高可靠性的功率电子应用。IXFH15N100Q的漏源电压(VDS)为1000V,连续漏极电流(ID)为15A,适用于各种高压功率转换器、开关电源(SMPS)、逆变器和电机驱动系统。该MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性和高雪崩能量能力,使其在高功率应用中表现出色。

参数

漏源电压(VDS):1000V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):15A
  脉冲漏极电流(IDM):60A
  导通电阻(RDS(on)):0.68Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFH15N100Q是一款专为高压高功率应用设计的MOSFET,具备多项优异的电气和热性能。其1000V的漏源电压额定值使其适用于各种高压电源转换器和工业控制系统。该器件的连续漏极电流为15A,能够在较高负载条件下稳定运行。此外,其导通电阻仅为0.68Ω,降低了导通损耗,提高了整体系统效率。
  该MOSFET采用了先进的平面技术,具备良好的热稳定性和耐用性。它具有高雪崩能量耐受能力,可在瞬态过电压条件下提供额外的保护。此外,IXFH15N100Q的栅极电荷较低,支持快速开关操作,从而减少开关损耗,适用于高频开关应用。
  在封装方面,该器件采用标准的TO-247封装,便于散热并易于集成到现有的功率电路中。其工作温度范围从-55°C到+150°C,适应各种环境条件下的运行,确保在恶劣工业环境中的稳定性和可靠性。此外,该MOSFET还具备良好的短路耐受能力,有助于在异常工作条件下保护系统安全。

应用

IXFH15N100Q广泛应用于高压电源转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器以及逆变器。它也适用于工业电机驱动、UPS系统、焊接设备和高频感应加热装置。此外,该MOSFET可用于光伏逆变器、风力发电系统中的功率转换模块,以及电动汽车充电器等新兴应用领域。

替代型号

IXFH15N100P; IXTH15N100Q; IRGP50B120KD; STGF15N100KM

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IXFH15N100Q参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件