时间：2025/8/5 14:12:48
阅读：28
IXFH14N100Q 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压、高电流的应用场景。该器件具有优异的热稳定性和高耐压能力，适用于工业电源、电机控制、逆变器、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高压功率转换场合。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：14A（在TC=25℃）
最大漏-源电压（VDS）：1000V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.32Ω（在VGS=10V）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247AC
栅极电荷（Qg）：典型值 65nC
输入电容（Ciss）：典型值 1400pF
IXFH14N100Q 采用先进的平面 MOSFET 技术，具有优异的开关性能和低导通损耗。其高耐压能力使其适用于高达 1000V 的高压系统中。该器件的导通电阻较低，能够在高电流下保持较小的电压降，从而减少功率损耗，提高系统效率。
此外，IXFH14N100Q 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。其 TO-247AC 封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。该 MOSFET 的栅极驱动需求适中，兼容常见的驱动电路，便于在多种功率转换拓扑中使用，如升压、降压、半桥和全桥结构。
该器件还具有出色的抗雪崩能力，能够在瞬态高压条件下保持稳定运行，从而提高系统的整体可靠性和耐用性。
IXFH14N100Q 广泛应用于各种高电压功率转换系统，包括但不限于：工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电动汽车充电设备、感应加热系统以及高功率 LED 驱动器等。由于其高耐压和良好的开关特性，该 MOSFET 特别适合用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路中。
在太阳能逆变器中，IXFH14N100Q 可用于 DC-AC 转换部分，将光伏板输出的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。在电动汽车充电系统中，该器件可应用于 AC-DC 或 DC-DC 转换模块，以实现高效能量传输。此外，在工业电机控制和伺服系统中，该 MOSFET 也可作为功率开关使用，实现对电机速度和转矩的精确控制。
IXFH14N100P, IXFH16N100Q, IRFHV14N100R, STF14N100M2
