时间：2025/8/6 1:16:13
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IXFH140N20X3是一款由Littelfuse公司生产的功率MOSFET晶体管，专为高功率和高频率应用设计。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供高效的功率转换性能和卓越的热稳定性。IXFH140N20X3主要应用于电源转换器、电机控制、工业自动化以及电动汽车等需要高效能功率器件的领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大连续漏极电流(Id)：140A
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大工作温度：175°C
封装类型：TO-247
导通电阻(Rds(on))：典型值为3.5mΩ
输入电容(Ciss)：约3800pF
功率耗散(Pd)：300W
IXFH140N20X3具备多项优异特性，确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
首先，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了效率。Rds(on)典型值为3.5mΩ，这使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的功耗。
其次，IXFH140N20X3支持高达140A的连续漏极电流和200V的最大漏源电压，适合用于高功率密度设计。其±20V的栅极电压容限也增强了器件在不同驱动条件下的适应能力。
此外，该器件的最大工作温度可达175°C，表现出良好的热稳定性，适用于高温环境下的工业应用。TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接。
IXFH140N20X3还具有较低的输入电容（Ciss约3800pF），有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。其高功率耗散能力（300W）也进一步增强了其在苛刻工况下的耐用性。
IXFH140N20X3广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能功率转换的场合。例如，在电源供应器中，它可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器以及同步整流电路，以提高电源效率并减少热量产生。在电机控制应用中，如伺服驱动器和变频器，该MOSFET可用于构建高性能H桥电路，实现精确的速度和扭矩控制。此外，它也适用于工业自动化设备中的功率控制模块，如PLC输出驱动和继电器替代方案。在电动汽车领域，IXFH140N20X3可用于车载充电器、电池管理系统和DC-DC变换器等关键部件，提供可靠的功率处理能力。
STY140N20K5, IXFN140N20X2
