类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V
　　最大功率耗散（Ptot）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IXFH12N90C3 采用 IXYS 的第三代 CoolMOS? 技术，这种技术通过优化硅结构和电荷平衡设计，显著降低了导通电阻和开关损耗。与传统高压 MOSFET 相比，IXFH12N90C3 在相同电压等级下实现了更低的 Rds(on)，从而提高了系统效率并减少了散热需求。
　　此外，该器件具有优异的雪崩能量承受能力和短路耐受能力，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其高可靠性和长寿命设计，使其非常适合用于工业级电源设备。
　　该 MOSFET 的封装采用 TO-247 标准封装形式，具有良好的热管理和电气性能，便于在各种应用中安装和散热。

IXFH12N90C3 被广泛应用于高电压和高效率的电力电子系统，如工业电源、UPS（不间断电源）、光伏逆变器、高压 DC-DC 转换器、电动车辆充电系统以及智能电网设备等。其低导通损耗和高开关速度特性使其在高频开关电源中表现出色，有助于提升整体系统效率。
　　由于其具备高电压能力和优异的可靠性，该器件也常用于医疗设备、测试仪器和工业自动化控制设备中的高压电源部分。
　　在新能源应用中，IXFH12N90C3 可用于太阳能逆变器和风能转换系统的功率模块，为绿色能源转换提供高效、稳定的解决方案。

SiHP09N90C3, STF12N90M5, FCP90N6F7