IXFH11N65 时间：2025/8/6 7:02:55 阅读：32

IXFH11N65是一种高电压、高电流的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件适用于需要高效能、高可靠性和高频率操作的功率电子系统。IXFH11N65采用TO-247封装，具备优良的热管理和高耐用性，适合用于各种工业级电源应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大漏极电流(Id)：11A（连续）
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.35Ω
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFH11N65具有多项卓越的电气和物理特性。首先，其650V的漏源电压额定值使其适用于高压电源系统，如电源转换器和逆变器。其次，11A的连续漏极电流能力确保其在高负载条件下依然能够稳定工作。
　　此外，该MOSFET的导通电阻仅为0.35Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。低导通电阻还能减少发热，从而延长器件的使用寿命并提升系统的可靠性。
　　该器件采用了先进的平面技术，提供了出色的开关性能，适用于高频操作环境。快速的开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。同时，IXFH11N65具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
　　TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保器件在高功率工作条件下保持较低的温度。该封装还具有良好的机械稳定性和耐久性，使其适用于工业环境中的严苛应用。

应用

IXFH11N65广泛应用于多种功率电子系统中。它常用于电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器以及电机控制电路。在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，该MOSFET可作为主开关器件，提供高效的能量转换。
　　此外，IXFH11N65还可用于焊接设备、电池充电器和工业自动化设备等高功率应用中。其高电压和高电流能力使其成为许多需要高可靠性和高效率的工业级设备的理想选择。
　　由于其优异的开关特性和低导通电阻，IXFH11N65也适用于高频功率变换器和功率因数校正（PFC）电路。这些应用通常要求器件能够在高频率下运行，同时保持较低的开关损耗和导通损耗。