IXFH10N65 时间：2025/8/6 7:47:01 阅读：24

IXFH10N65是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种高功率电子设备中。该器件采用先进的沟槽栅技术，具备高电流容量和低导通电阻的特点，适用于需要高效率和高性能的电源管理与功率控制场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　漏极电流(Id)：10A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：0.65Ω @ Vgs=10V
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：180W

特性

IXFH10N65的主要特性包括其高耐压能力和高电流容量，使其适用于需要高功率处理的场景。其导通电阻较低，可以显著减少功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在极端温度条件下正常运行，适应性极强。
　　该器件采用了先进的沟槽栅技术，确保了较低的导通压降和快速的开关性能，适用于高频开关应用。同时，其坚固的封装设计提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命。
　　IXFH10N65还具有较低的输入电容和输出电容，减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体的响应速度和效率。这些特性使其成为各种高功率电源转换器和电机控制设备的理想选择。

应用

IXFH10N65适用于多种高功率电子系统，包括但不限于电源供应器、电机驱动器、电池充电器、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高效率和高可靠性使其在需要长时间稳定运行的应用场景中表现出色，例如工业电源管理和高频电源转换设备。
　　在电源供应器中，IXFH10N65能够有效提高转换效率，减少能量损耗；在电机驱动器中，其快速的开关特性和高电流容量能够确保精确的控制和稳定的运行；在逆变器和电池充电器中，该器件的高耐压能力和热稳定性能够适应复杂的工作环境，提供可靠的性能支持。