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IXFH100N30X3 发布时间 时间:2025/8/5 19:14:45 查看 阅读:15

IXFH100N30X3 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流、高功率密度的开关电源、逆变器、电机控制以及工业电源系统中。该器件采用了先进的功率 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极电流 (Id):100A
  漏极-源极击穿电压 (Vds):300V
  栅极-源极电压 (Vgs):±20V
  导通电阻 (Rds(on)):典型值 13mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散 (Ptot):300W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-264

特性

IXFH100N30X3 具有多个优异的电气和热性能特性。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低在高电流工作状态下的导通损耗,从而提高整体效率。该 MOSFET 的最大漏极电流可达 100A,并可在高达 300V 的漏极-源极电压下工作,适用于高功率开关应用。此外,该器件的热阻较低,有助于在高负载条件下有效散热,提升系统稳定性。
  其封装形式为 TO-264,具有良好的机械强度和热传导性能,便于安装在散热器上。该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力,可在高能脉冲条件下提供可靠的保护。同时,其栅极驱动电压范围较宽(典型驱动电压为 10V),兼容多种栅极驱动电路,提高了设计灵活性。
  此外,IXFH100N30X3 还具备快速开关特性,可有效减少开关过程中的能量损耗,提高系统效率,适用于高频开关应用。其高可靠性使其在工业、电力电子、新能源和汽车电子等领域中广泛使用。

应用

IXFH100N30X3 适用于多种高功率电子系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、UPS(不间断电源)、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高电流和高压能力,该器件也常用于新能源系统如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中。

替代型号

IXFH100N30P3, IXFH100N30Q, IXFH100N30Q3, IXFH120N30Q3

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IXFH100N30X3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥109.07000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13.5 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)122 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7660 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)480W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3