时间：2025/12/24 19:18:21
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IXFE50N50是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司制造，适用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻和高电流容量，广泛用于电源、电机控制和逆变器等领域。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFE50N50采用了先进的平面技术，提供低导通电阻和高雪崩能量能力。该器件具有快速开关速度，减少开关损耗，并且可以在高温下稳定工作。其高电流容量和热稳定性使其适用于各种高功率应用。此外，该MOSFET具有良好的抗短路能力和高可靠性，适合用于工业控制和电源转换设备。
该器件的封装设计使其具备良好的散热性能，能够在高功率条件下保持较低的结温。同时，其栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计。IXFE50N50的结构优化了电磁干扰（EMI）性能，降低了开关过程中产生的噪声，适用于对EMI有严格要求的应用场景。
此外，IXFE50N50具有良好的并联能力，可以用于多管并联的高功率系统中。其温度系数特性使得在不同温度下仍能保持稳定的性能。该MOSFET还具有较高的dv/dt耐受能力，减少因电压变化率过高而导致的失效风险。
IXFE50N50广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统中。
IXFH50N50, IRFP460, FGA25N50
