IXFE48N50 时间：2025/8/6 0:22:20 阅读：38

IXFE48N50是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率电子设备中。该器件采用先进的平面技术，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源转换、电机控制、逆变器等高要求的功率应用。其封装形式为TO-247，便于散热并适用于高功率密度设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：48A
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值0.18Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

IXFE48N50具备多项优良特性，首先是其高耐压能力，漏源电压可达500V，使其适用于高电压应用环境，例如开关电源和电机驱动器。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），在导通状态下可有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。IXFE48N50还具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（300W），确保在高负载条件下仍能稳定工作。
　　该器件的封装采用TO-247标准封装，具有良好的散热性能，便于安装和使用。此外，IXFE48N50的开关速度快，有助于减少开关损耗，提高系统的整体响应速度和效率。由于其优良的性能和稳定性，IXFE48N50广泛用于工业控制、新能源设备和电源管理系统等领域。

应用

IXFE48N50主要应用于需要高电压和高电流能力的功率电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及新能源设备如太阳能逆变器等。其高耐压和低导通电阻特性使其在这些应用中能够有效提升系统效率并减少热量产生。此外，该MOSFET也适用于需要高可靠性的汽车电子系统和功率因数校正（PFC）电路。