IXFC70N15 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高功率和高频率的应用场景。该器件采用了先进的沟道技术和优化的封装设计,能够在高电流和高电压下稳定工作,同时保持较低的导通电阻和开关损耗。IXFC70N15 特别适用于电源转换器、电机控制、UPS(不间断电源)、逆变器以及工业自动化设备中的功率管理模块。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极电流(Id):70A
漏源电压(Vds):150V
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大23mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Ptot):200W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-247
IXFC70N15 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。该器件在设计上采用了优化的沟槽结构,使得其在高频开关应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性。
此外,IXFC70N15 具有较高的电流承载能力和优异的热性能,能够在高温环境下保持稳定的运行。它还具备较强的抗雪崩击穿能力和过载保护功能,适用于严苛的工作环境。
该 MOSFET 支持快速开关操作,降低了开关损耗,从而提高了整体系统的能效。同时,其 ±20V 的栅极电压耐受能力使其能够与多种驱动电路兼容,适用于各种功率转换和控制应用。
IXFC70N15 的 TO-247 封装形式具有良好的散热性能,能够有效地将热量从芯片传导到外部散热器,从而延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。
IXFC70N15 被广泛应用于多种高功率电子设备中,尤其是在需要高效功率管理和高频率开关操作的场景。典型的应用包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、UPS 系统、电机驱动器、逆变器、太阳能逆变系统以及工业自动化控制设备。
在电源管理系统中,IXFC70N15 可以作为主开关元件,用于调节和控制输出电压或电流,确保系统在高效和稳定的状态下运行。在电机控制领域,该 MOSFET 可以用于 PWM 控制,实现对电机转速和扭矩的精确调节。
此外,IXFC70N15 还适用于电池管理系统(BMS)和储能系统,作为关键的功率切换元件。其高可靠性和优异的热性能使其成为工业级应用的理想选择。
SiHF70N15 / FDPF70N15 / IRF2807 / STP70N15