IXFC6N90 时间：2025/8/6 2:26:54 阅读：5

IXFC6N90是由IXYS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，使其在高效率电源设计中表现出色。其封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适合用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：900V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：6A（在Tc=25℃时）
　　脉冲漏极电流(Idm)：24A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.8Ω
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220
　　最大功耗(Pd)：50W

特性

IXFC6N90具有多项优异的电气特性，能够满足高性能电源转换应用的需求。首先，其高耐压能力（900V Vds）使其适用于高电压输入的场合，如工业电源和照明系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体效率，从而减少热量产生，提高系统稳定性。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够在高频应用中保持高效能，减少开关损耗。其±20V的栅源电压范围允许使用较高的驱动电压，从而进一步优化开关性能。
　　IXFC6N90还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣环境下稳定工作。TO-220封装形式不仅便于安装，而且有助于散热，确保器件在高负载条件下仍能正常运行。
　　总体而言，IXFC6N90是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率转换应用。