时间：2025/9/3 21:45:58
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IXFC52N30P是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高功率开关应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于各种工业控制、电源转换和电机驱动系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：52A
最大漏源电压：300V
导通电阻（Rds(on)）：0.115Ω
栅极电荷：80nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFC52N30P具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为0.115Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的最大漏极电流为52A，最大漏源电压为300V，能够在高压高电流环境下稳定工作。此外，IXFC52N30P的栅极电荷为80nC，具有较快的开关速度，适用于高频开关应用。
在热性能方面，TO-247封装提供了良好的散热能力，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。IXFC52N30P的结温范围为-55°C至150°C，适用于各种恶劣环境条件。该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性和安全性。
IXFC52N30P广泛应用于各类高功率电子设备中，如工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、焊接设备以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）。其高耐压能力和低导通电阻使其在这些应用中能够实现高效的能量转换和稳定的性能表现。此外，由于其优异的热性能和可靠性，IXFC52N30P也适用于需要长时间连续运行的工业控制系统。
IXFH52N30P, IXFN52N30P
