IXFC110N10P 时间：2024/9/25 9:20:26 阅读：454

参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：PolarHV?
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：17毫欧 55A,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：100V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：60A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：5V 4mA
　　闸电荷(Qg) Vgs：110nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：3550pF 25V
　　功率-最大：120W

封装参数

安装类型：通孔
　　封装/外壳：ISOPLUS220?
　　包装：散装

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IXFC110N10P参数

标准包装50
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列PolarHV™ HiPerFET™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C17 毫欧 @ 55A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds3550pF @ 25V
功率 - 最大120W
安装类型通孔
封装/外壳ISOPLUS220?
供应商设备封装ISOPLUS220?
包装散装