时间：2025/8/6 3:11:12
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IXFB80N20Q2是一款由IXYS公司制造的双N沟道功率MOSFET模块，适用于高功率密度和高效率的应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于电源转换器、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化系统等领域。
类型：双N沟道MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：200V
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：210nC
功耗（Ptot）：300W
封装类型：TO-247AD双封装
IXFB80N20Q2的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率；
采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的性能和可靠性；
双MOSFET结构设计，便于在半桥或全桥拓扑中使用，减少外围元件数量；
高电流能力使其适用于高功率应用，如电动汽车充电系统、工业电源和逆变器等；
具备良好的热稳定性和高温工作能力，确保在恶劣环境下稳定运行；
快速开关特性降低了开关损耗，提高了系统效率，适用于高频开关应用；
封装设计便于安装和散热管理，提升了模块的热性能。
IXFB80N20Q2广泛应用于各种高功率电子系统，包括但不限于：电力电子转换器（如AC-DC、DC-DC转换器）；
工业电机驱动和伺服控制系统；
可再生能源系统（如太阳能逆变器和风能转换系统）；
电动汽车和混合动力汽车的充电与动力系统；
不间断电源（UPS）和储能系统；
自动化设备和机器人控制系统中的功率模块。
IXFN80N20Q2、IXFB80N20Q3、IXFN90N20Q2
