IXFB50N80Q 时间：2025/8/5 18:04:52 阅读：36

IXFB50N80Q是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET晶体管，采用TO-247封装形式。该器件设计用于高功率应用，具有良好的热稳定性和导通性能。其高耐压和大电流承载能力使其适用于各种高要求的电力电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.16Ω
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　输入电容（Ciss）：2400pF

特性

IXFB50N80Q具有低导通电阻，可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力使其能够在高压环境下稳定运行，并具备良好的抗过载能力。
　　此外，IXYS采用了先进的平面MOSFET技术，提供出色的热性能和高可靠性，适合在高温条件下工作。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和逆变器等应用。
　　TO-247封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上，确保长时间运行的稳定性。同时，该器件具备较高的dv/dt耐受能力，减少开关过程中的电磁干扰（EMI）问题。

应用

IXFB50N80Q广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器）等高功率电子系统中。
　　由于其高电压和大电流特性，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子变换器拓扑结构，如半桥、全桥和推挽式电路。
　　在工业控制和自动化系统中，该器件可用于驱动大功率负载，如直流电机、加热元件和电磁阀等。此外，IXFB50N80Q也适用于高频功率转换应用，提供稳定可靠的开关性能。