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IXFA8N85XHV 发布时间 时间:2025/8/6 3:59:26 查看 阅读:36

IXFA8N85XHV是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流能力的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能功率转换应用设计。该器件采用先进的技术,具备低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于各种高要求的电源系统。IXFA8N85XHV属于N沟道增强型MOSFET,具有较高的耐压能力和较大的工作电流范围,使其适用于高功率密度设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):850V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):8A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为1.2Ω
  功率耗散(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

IXFA8N85XHV的主要特性之一是其卓越的导通性能和低开关损耗,这得益于其优化的芯片设计和先进的制造工艺。该MOSFET的低导通电阻能够显著降低功率损耗,提高系统效率。此外,其高耐压能力(850V)使其在高压电源应用中表现出色,如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等。
  该器件的封装形式为TO-263(D2PAK),这是一种表面贴装封装,具备良好的散热性能,适用于需要高功率密度的应用场景。同时,该封装形式也提高了器件的机械强度和可靠性,适用于工业级环境。
  IXFA8N85XHV还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力,能够在高负载和瞬态条件下保持稳定运行。其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)使其适应各种恶劣的工作环境,包括工业自动化、电机控制、太阳能逆变器等领域。
  此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±30V),使得其与多种驱动电路兼容,提高了设计的灵活性。其快速开关特性也有助于降低开关损耗,提高系统的整体效率。

应用

IXFA8N85XHV广泛应用于各种高功率电子系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED照明驱动器、工业电机控制以及太阳能逆变器等。由于其高耐压和高电流能力,该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的应用场合。此外,该MOSFET也适用于高频开关电路,能够满足现代电源系统对小型化和高效能的需求。

替代型号

IXFA8N85XHV的替代型号包括IXFN8N85X、IXFA10N85X、STF8N85X等,这些型号在电气性能和封装形式上具有相似的特性,可根据具体应用需求进行选择。

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IXFA8N85XHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格300 : ¥46.48253管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)850 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)850 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)654 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)200W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263AA(IXFA)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB