漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：1.5Ω
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-263（D2Pak）

IXFA7N80P MOSFET 的主要特点之一是其高达 800V 的漏源电压，使其适用于高电压工作环境。它具有低导通电阻（Rds(on)）为 1.5Ω，这有助于降低导通损耗并提高效率。该器件还具有快速开关速度，减少了开关损耗，并在高频应用中表现出色。
　　此外，IXFA7N80P 的封装设计提供了良好的热性能，能够有效散热，适用于高功率密度设计。其 TO-263（D2Pak）封装支持表面贴装工艺，便于自动化生产并提高系统可靠性。
　　该 MOSFET 还具备较高的耐用性和抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中使用。内置的体二极管也增强了其在感性负载应用中的性能，如电机驱动和继电器控制等。
　　综合来看，IXFA7N80P 在高电压、中等电流的应用中提供了可靠性和高效能的表现，是工业和电源系统设计中的优选器件。

IXFA7N80P 主要用于需要高电压和中等电流能力的功率电子系统。常见的应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、功率因数校正（PFC）电路、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、工业电机驱动以及高电压电池管理系统。
　　此外，该器件也适用于家电中的功率控制电路，如电磁炉、变频空调和高功率 LED 照明系统。由于其快速开关特性和高耐压能力，IXFA7N80P 还可用于高压放电灯（HID）镇流器和电焊设备等特种电源应用。
　　在电动车和储能系统中，IXFA7N80P 可用于构建高效的双向 DC-DC 转换器，实现能量的高效传输与管理。其高可靠性和热稳定性也使其成为高要求工业控制系统中的理想选择。

IXFH7N80P, IRF840, STF8NM80, FQA7N80C