类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　漏极电流（ID）：72A（在 TC=100°C 时）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 18mΩ（最大值 23mΩ，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为 145nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装
　　技术：MOSFET N-Channel, Enhancement Mode

IXFA72N20X3 具有以下显著特性：
　　? 低导通电阻：该器件的 RDS(on) 典型值为 18mΩ，最大值为 23mΩ，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。
　　? 高电流能力：在 TC=100°C 的条件下，漏极电流可达 72A，使其适用于高功率应用。
　　? 优化的开关性能：该器件具有较低的栅极电荷（Qg），典型值为 145nC，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　? 高温耐受性：工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，具备良好的热稳定性和可靠性。
　　? 增强型模式：作为增强型 N 沟道 MOSFET，IXFA72N20X3 在栅极电压为零时处于关闭状态，确保了在电源关闭时的安全操作。
　　? TO-263（D2PAK）封装：这种封装形式不仅提供了良好的热管理，还支持表面贴装技术，简化了 PCB 布局并提高了制造效率。
　　这些特性使 IXFA72N20X3 成为高效功率转换和管理应用的理想选择。

IXFA72N20X3 广泛应用于以下领域：
　　? 开关电源（SMPS）：由于其低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率的电源转换器设计。
　　? DC-DC 转换器：适合用于升压、降压和升降压转换器电路，特别是在需要高电流输出的应用中。
　　? 电机控制：在工业电机驱动器中，用于实现高效的电机速度和扭矩控制。
　　? 电池管理系统：用于高功率电池充放电控制电路，提供可靠的开关性能。
　　? 逆变器和变频器：适用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）等需要高效能功率器件的系统。
　　? 电动汽车充电设备：在车载充电器和充电桩中，作为主开关器件使用。

IXFA72N20X3 可以被以下型号替代：IRF72N20D（来自 Infineon 前身 International Rectifier），IXFN72N20X3，STP72N20F（来自 STMicroelectronics），SiEF72N20（来自 Vishay Siliconix）等。