时间：2025/7/24 20:08:05
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IXFA5N100P是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET，专为高电压和高功率应用而设计。该MOSFET具有优良的导通特性和低开关损耗，适用于诸如电源转换、电机控制和逆变器等应用场景。该器件采用了先进的平面技术，确保了在高电压工作条件下的可靠性和稳定性。IXFA5N100P的封装形式为TO-263（D2PAK），方便安装在PCB上，并具有良好的热管理性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：5A
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大2.5Ω
功率耗散：50W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IXFA5N100P具备多项优良特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作时的低功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET具有较高的栅极阈值电压（VGS(th)），通常在2V至4V之间，使得器件在开关过程中具有良好的抗干扰能力。
此外，IXFA5N100P采用了先进的平面MOSFET技术，提供了优异的开关性能，降低了开关损耗并提高了工作频率能力。这种MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合在恶劣环境中使用。
IXFA5N100P广泛应用于多种高电压和高功率电子设备中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器以及工业控制系统。由于其良好的导通特性和低开关损耗，该MOSFET特别适合用于高频开关应用，能够有效提高电源转换效率。
IRFZ44N, STP55NF06, FDPF5N100P
