时间：2025/8/5 22:30:39
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IXFA38N30X3 是一款由 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率、高频率的开关应用中。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于电源转换、DC-DC 转换器、电机控制以及工业自动化设备等领域。该 MOSFET 设计用于在高电压（300V）下运行，同时保持低开关损耗，从而提高系统效率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：300V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：38A（在TC=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：最大 42mΩ（典型值35mΩ）
功耗（Ptot）：170W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-247AC
IXFA38N30X3 采用了先进的 Trench MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其导通电阻仅为 35mΩ（典型值），在高电流应用中表现出色，同时减少了热量的产生，提高了热稳定性。
该 MOSFET 的漏源电压额定值为 300V，适用于中高压功率转换应用，如电源供应器、太阳能逆变器和电机驱动系统。栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容标准的 10V 和 12V 栅极驱动器，便于系统设计和集成。
此外，IXFA38N30X3 在高温环境下仍能保持稳定运行，其最大功耗为 170W，并支持快速散热的 TO-247AC 封装形式。该封装不仅提供良好的热管理性能，还增强了机械强度和电气绝缘性能，适用于工业级恶劣环境。
这款器件具有快速开关特性，降低了开关损耗，从而提高了整体系统效率。它的短路耐受能力和过热保护功能进一步增强了其在高可靠性应用中的适用性。
IXFA38N30X3 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、工业电机控制、太阳能逆变器以及高功率 LED 驱动电路。其低导通电阻和高耐压特性使其成为高效率功率转换的理想选择。
在电源管理系统中，该 MOSFET 可用于构建高效率的同步整流器或负载开关。在电机控制应用中，它能够提供稳定的高电流输出，确保电机运行的平稳性和响应性。
由于其优异的热性能和高可靠性，IXFA38N30X3 也常被用于工业自动化设备、焊接设备、电能质量调节装置以及电动汽车的电力电子系统中。
IXFH38N30P, IXFK38N30X3, STW43NM50ND, FDPF38N30
