时间：2025/8/6 2:12:44
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IXFA36N30P3是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司设计制造，专为高功率应用而设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高耐用性，适合用于电源转换、电机控制和逆变器等需要高效能功率开关的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：36A
最大漏源电压（VDS）：300V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.125Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V至5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247AC
IXFA36N30P3具有多项高性能特性。首先，其低导通电阻确保了在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的平面技术，提供了高耐用性和稳定性，能够在高电流和高温环境下保持性能。此外，IXFA36N30P3的高漏源电压能力（300V）使其适用于多种高压应用。其高开关速度减少了开关损耗，有助于提高系统的工作频率，从而减小外部元件的尺寸和成本。最后，该MOSFET的封装设计有助于散热，适用于高功率密度的设计需求。
在可靠性方面，IXFA36N30P3具有过热保护和高抗雪崩击穿能力，确保在极端工作条件下仍能稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（2.5V至5V），允许使用多种驱动电路，增加了设计的灵活性。
IXFA36N30P3广泛应用于多个领域，包括工业电源、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器、电池充电器以及不间断电源（UPS）。此外，该器件也可用于高功率LED驱动电路、家用电器中的电源管理模块以及新能源设备中的功率控制部分。由于其高可靠性和优异的性能，IXFA36N30P3也常用于汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统。
STP36NF30L, IRFP460, IXFA32N30P3
