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IXFA30N60X 发布时间 时间:2025/8/6 4:16:58 查看 阅读:17

IXFA30N60X是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率场效应晶体管(MOSFET),设计用于高功率应用。该器件具有高电流容量和低导通电阻,适用于如电源转换器、电机驱动和工业自动化等应用场景。

参数

类型:N沟道
  漏极电流(ID):30A
  漏源电压(VDS):600V
  栅极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.15Ω(最大)
  功率耗散(PD):180W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFA30N60X具备优异的导通和开关性能,能够在高频率下稳定工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和过载能力,确保在恶劣工作条件下的可靠性。该MOSFET采用先进的制造工艺,提供了较高的耐用性和较长的使用寿命。
  该器件的封装设计便于散热,适用于高功率密度设计。此外,IXFA30N60X的快速开关特性使其非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器应用。其栅极驱动要求较低,能够与多种驱动电路兼容。
  在安全性和保护方面,该MOSFET内置了过热和过流保护机制,防止在极端工作条件下损坏。此外,该器件的封装材料符合RoHS标准,符合环保要求。

应用

IXFA30N60X广泛应用于各种高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、逆变器、电机控制器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。由于其高可靠性和高效率,该器件也常用于新能源系统中的功率转换模块。

替代型号

IXFA30N60P, IXFA30N65X, IRFP4668

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IXFA30N60X参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格300 : ¥40.98943管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)155 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)56 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2270 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263AA(IXFA)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB