IXFA30N60X是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率场效应晶体管(MOSFET),设计用于高功率应用。该器件具有高电流容量和低导通电阻,适用于如电源转换器、电机驱动和工业自动化等应用场景。
类型:N沟道
漏极电流(ID):30A
漏源电压(VDS):600V
栅极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.15Ω(最大)
功率耗散(PD):180W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
IXFA30N60X具备优异的导通和开关性能,能够在高频率下稳定工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和过载能力,确保在恶劣工作条件下的可靠性。该MOSFET采用先进的制造工艺,提供了较高的耐用性和较长的使用寿命。
该器件的封装设计便于散热,适用于高功率密度设计。此外,IXFA30N60X的快速开关特性使其非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器应用。其栅极驱动要求较低,能够与多种驱动电路兼容。
在安全性和保护方面,该MOSFET内置了过热和过流保护机制,防止在极端工作条件下损坏。此外,该器件的封装材料符合RoHS标准,符合环保要求。
IXFA30N60X广泛应用于各种高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、逆变器、电机控制器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。由于其高可靠性和高效率,该器件也常用于新能源系统中的功率转换模块。
IXFA30N60P, IXFA30N65X, IRFP4668