时间：2025/8/6 7:54:30
阅读：22
IXFA20N85XHV 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET。这款器件专为要求高效率、高可靠性和高功率密度的工业应用设计，如电源转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及电池管理系统等。该 MOSFET 采用先进的高电压（XHV）技术，能够在高电压条件下保持稳定的性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：20A
漏极-源极击穿电压（Vds）：850V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.25Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-263（表面贴装）或 TO-247（通孔）
最大功耗（Pd）：200W
IXFA20N85XHV 具备多项高性能特性，首先是其高耐压能力，漏极-源极击穿电压可达 850V，使其适用于高压功率转换应用。该器件采用 IXYS 的 XHV（极端高压）技术，确保在高电压下仍能保持低导通损耗和高开关效率。
此外，该 MOSFET 提供较低的导通电阻（Rds(on)），通常为 0.25Ω，有助于减少功率损耗并提高系统效率。它还具有较强的热稳定性，能够在高功率密度环境下稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围宽，可达 ±30V，支持灵活的驱动设计，并具备良好的抗雪崩能力，增强其在高应力条件下的可靠性。
IXFA20N85XHV 提供 TO-263 和 TO-247 封装选项，适用于多种 PCB 布局和散热需求，便于在高功率系统中集成。
IXFA20N85XHV 广泛应用于需要高压和高电流能力的工业与电力电子系统中。典型应用包括高功率 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制单元。其高可靠性和高效率特性也使其成为电动汽车（EV）充电设备和储能系统中的理想选择。
IXFH20N85XHV, IXFA24N85XHV, IXFN20N85XHV
