IXER35N120 时间：2025/8/6 5:23:30 阅读：36

IXER35N120是一款高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司生产。该器件专为高电压和高电流的应用设计，适用于工业控制、电源转换、电机驱动和新能源系统等领域。IXER35N120采用TO-247封装，具有良好的热管理和电气性能，能够提供稳定的功率输出。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　连续漏极电流(Id)：35A
　　脉冲漏极电流(Idm)：120A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装：TO-247

特性

IXER35N120具备多项优异特性，确保其在高压高功率应用场景中稳定运行。首先，其1200V的漏源电压使其能够适应高电压环境，同时35A的连续漏极电流和120A的脉冲漏极电流能力确保其在高负载条件下仍能稳定运行。此外，该MOSFET的栅源电压支持±20V，提高了栅极驱动的灵活性。
　　该器件的TO-247封装设计优化了散热性能，有助于降低热阻并提高热稳定性，从而延长器件的使用寿命。200W的功耗能力进一步确保了其在高功率应用中的可靠性。IXER35N120的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端温度条件下正常工作，适用于多种恶劣环境。
　　此外，该MOSFET具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统效率。这一特性使其特别适用于高频开关电源、逆变器和电机驱动等应用。同时，其高抗雪崩能力提供了更强的过载保护性能，确保系统在异常条件下仍能安全运行。

应用

IXER35N120广泛应用于多种高功率电子系统中。常见用途包括工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机、电源转换器和开关电源。此外，它也适用于电动汽车充电设备、储能系统和电力电子变流装置。由于其高耐压和高电流特性，IXER35N120在需要高效能功率控制的场合表现出色，是工业自动化和能源管理系统中的关键组件。