您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXEN60N120D1

IXEN60N120D1 发布时间 时间:2024/9/25 10:38:19 查看 阅读:584

参数

制造商:IXYS
  封装/箱体:SOT-227B
  集电极—发射极最大电压VCEO:1200 V
  集电极—射极饱和电压:2.1 V
  栅极/发射极最大电压:20 V
  集电极最大连续电流Ic:100 A

封装参数

封装:Tube
  配置:Single

物理参数

最大工作温度:+150 C
  最小工作温度:-40 C

IXEN60N120D1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXEN60N120D1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXEN60N120D1参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,60A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100A
  • 电流 - 集电极截止(最大)800µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)3.8nF @ 25V
  • 功率 - 最大445W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B