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IXEH40N120D1 发布时间 时间:2025/8/6 12:15:47 查看 阅读:30

IXEH40N120D1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 IGBT(绝缘栅双极晶体管)芯片,广泛应用于高电压和高电流场景,如工业电源、逆变器、电机驱动和可再生能源系统等。这款 IGBT 具有较高的效率和较低的导通压降,适合需要高可靠性和高性能的应用场景。IXEH40N120D1 采用了先进的沟槽栅和电场停止技术,以优化开关性能并减少能量损耗。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压:1200V
  最大集电极电流:40A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降:约2.1V(在40A时)
  短路耐受能力:6μs(典型值)
  功耗:300W(最大)
  栅极电压范围:-20V 至 +20V

特性

IXEH40N120D1 具备多项显著特性,使其在高功率应用中表现优异。首先,它的最大集电极-发射极电压为 1200V,能够应对高压场景的需求,而最大集电极电流为 40A,足以支持大功率负载。其次,这款 IGBT 的导通压降较低,在 40A 电流下约为 2.1V,从而减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,IXEH40N120D1 还具备良好的短路耐受能力,其短路承受时间可达 6μs(典型值),在突发短路情况下提供一定的保护能力。
  该器件的封装形式为 TO-247,具有良好的散热性能,适用于多种标准电路设计。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于各种严苛环境条件。栅极电压范围为 -20V 至 +20V,支持灵活的驱动控制,同时确保稳定的开关操作。
  在结构方面,IXEH40N120D1 采用了沟槽栅技术和电场停止设计,这有助于降低开关损耗并提高导通性能。沟槽栅技术通过优化电流路径,减少电阻,从而提高效率;而电场停止技术则有助于减少尾电流,提升关断速度。这些设计使该 IGBT 在硬开关和软开关应用中均表现出色。
  另外,IXEH40N120D1 在设计上注重可靠性,其内部结构和材料选择确保了在高温和高压环境下仍能稳定运行。这使其成为工业电源、电机驱动器、太阳能逆变器以及电动车充电系统等应用中的理想选择。

应用

IXEH40N120D1 被广泛应用于多个高功率电子系统中。首先,在工业领域,该 IGBT 常用于变频器、伺服驱动器和感应加热设备,以实现高效的电机控制和能量转换。其次,在可再生能源系统中,IXEH40N120D1 被用作太阳能逆变器中的核心开关元件,将直流电转换为交流电,供家庭或电网使用。此外,它也适用于电动车充电系统,用于高效率的功率转换和充电控制。
  在电力电子领域,IXEH40N120D1 还可用于高频电源、UPS(不间断电源)系统以及焊接设备,其高电压和高电流承载能力使其能够在这些高压、高功率场景下稳定运行。同时,该 IGBT 的短路耐受能力使其在电源管理系统中具备一定的保护功能,提升了整体系统的安全性和可靠性。
  在家电领域,IXEH40N120D1 也可用于高端电磁炉、智能空调和洗衣机等产品的功率控制模块,实现更高的能效比和更长的使用寿命。此外,由于其具备良好的热稳定性和较高的工作温度容忍度,因此在需要长时间运行的设备中表现尤为出色。

替代型号

IXGH40N120B3, FGL40N120FD, FGH40N120SMD

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IXEH40N120D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3V @ 15V,40A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3 整包
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件