您好，欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册
网站首页 | 采购商服务 | 会员服务 | 工程师服务 | 网站导航

产品
即刻体验 AI搜索DeepSeek-R1满血版
一键发布采购 上传BOM
您所在的位置：电子元器件采购网 > IC百科 > IXDT30N120

IXDT30N120 发布时间 时间：2024/9/25 10:43:37 查看 阅读：855

目录

参数

制造商:IXYS
　　封装/箱体:TO-247AD
　　集电极—发射极最大电压VCEO:1200 V
　　栅极/发射极最大电压:+/-20 V
　　集电极最大连续电流Ic:60 A

封装参数

封装:Tube
　　配置:Single
　　安装风格:Through Hole

物理参数

最大工作温度:+150 C
　　最小工作温度:-55 C

IXDT30N120推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXDT30N120资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXDT30N120相关型号推荐

IC词条百科

IXDT30N120参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）2.9V @ 15V，30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）60A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

©2026 维库电子市场网（www.dzsc.com）　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明

十六年专注打造优质电子元器件采购网、IC交易平台。

买家服务热线：0571-85317666 | 买家服务部QQ： QQ:1609526468
卖家服务热线：0571-85317586 | 卖家服务部QQ： QQ:331652727