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IXDT30N120 发布时间 时间:2024/9/25 10:43:37 查看 阅读:485

参数

制造商:IXYS
  封装/箱体:TO-247AD
  集电极—发射极最大电压VCEO:1200 V
  栅极/发射极最大电压:+/-20 V
  集电极最大连续电流Ic:60 A

封装参数

封装:Tube
  配置:Single
  安装风格:Through Hole

物理参数

最大工作温度:+150 C
  最小工作温度:-55 C

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IXDT30N120参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.9V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件