IXDR30N120
时间:2023/3/6 15:16:05
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制造商: IXYS
封装 / 箱体: ISOPLUS247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
概述
制造商: IXYS
封装 / 箱体: ISOPLUS247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.4 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 50 A
封装: Tube
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
IXDR30N120推荐供应商
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- IXDR30N120
- 深圳市炀城实业有限公司
- 5000
- IXYS
- 24+/IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
-
IXDR30N120参数
- 标准包装30
- 类别分离式半导体产品
- 家庭IGBT - 单路
- 系列-
- IGBT 类型NPT
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)2.9V @ 15V,30A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50A
- 功率 - 最大200W
- 输入类型标准型
- 安装类型通孔
- 封装/外壳ISOPLUS247?
- 供应商设备封装ISOPLUS247?
- 包装管件