时间：2025/8/6 1:56:12
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IXDP35N60B是一款由IXYS公司制造的高电压高速功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效率和快速开关性能的电力电子应用。该器件采用TO-247封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于开关电源、逆变器、电机控制以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：35A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.11Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V至4.0V
反向恢复时间（trr）：约50ns
封装形式：TO-247
IXDP35N60B具有多项优异特性，适用于高性能功率转换应用。首先，其高耐压能力（600V）使其能够在高压环境下稳定工作，同时具备良好的抗雪崩击穿能力，提高了器件的可靠性。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（最大0.11Ω），从而减少了导通损耗，提升了整体系统效率。此外，该器件的高速开关特性（反向恢复时间约50ns）有助于降低开关损耗，提高系统响应速度，适用于高频开关应用。
在热管理方面，IXDP35N60B采用了高效的散热封装设计（TO-247），能够在较高工作电流下保持良好的热稳定性，避免过热损坏。此外，该MOSFET具备较强的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，增强了在电机驱动、逆变器等负载波动较大的应用场景中的稳定性。IXDP35N60B还具有良好的栅极驱动兼容性，支持常见的驱动电路设计，便于工程师在系统中集成使用。
IXDP35N60B广泛应用于多种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等电力转换装置。其高速开关性能使其适用于高频逆变器，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统，以提高能效和减小体积。此外，该MOSFET在电机控制领域也具有广泛应用，例如电动汽车驱动器、工业伺服系统、电动工具以及家用电器中的电机控制电路。其高耐压和高电流能力也使其适用于照明系统，如HID灯镇流器和LED驱动电源。由于其良好的热稳定性和可靠性，IXDP35N60B也常用于工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及各种功率因数校正（PFC）电路中。
STP35N60C3, FCP35N60N, FDPF35N60
