您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXDN75N120

IXDN75N120 发布时间 时间:2023/3/7 14:50:09 查看 阅读:350

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: SOT-227B

  

目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: SOT-227B

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

    集电极—射极饱和电压: 2.2 V

    栅极/发射极最大电压: 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 150 A

    封装: Tube

    配置: Single Dual Emitter

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 40 C


资料

厂商
IXYS

IXDN75N120推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXDN75N120资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXDN75N120参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 电流 - 集电极截止(最大)4mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)5.5nF @ 25V
  • 功率 - 最大660W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B