时间：2025/12/24 16:52:37
阅读：12
IXDN630CI 是一款由 IXYS 公司设计和生产的高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器芯片。它专为高功率、高频率的功率转换应用设计，能够提供强大的栅极驱动能力和出色的抗干扰性能。该芯片采用标准的 8 引脚 DIP 或 SOIC 封装，便于在各种功率电子系统中集成。
工作电压范围：10V 至 20V
输出峰值电流：±3.0A（典型值）
输入逻辑阈值：TTL/CMOS 兼容（0.8V 至 2.0V）
传播延迟时间：典型值为 35ns（开通延迟），45ns（关断延迟）
上升/下降时间：典型值为 10ns（在 1nF 负载下）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：8 引脚 PDIP 或 8 引脚 SOIC
IXDN630CI 采用专有的高压集成电路技术，具备高驱动能力和快速响应特性，适用于高频率开关应用。其内置的欠压锁定（UVLO）功能可在电源电压不足时自动关闭输出，从而保护功率器件免受损坏。此外，该驱动器具有低交叉导通电流和高抗噪能力，有助于减少开关损耗并提高系统稳定性。其输出级采用图腾柱结构，能够提供强劲的灌电流和拉电流能力，以快速充放电功率器件的栅极电容。IXDN630CI 还具有良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围，适用于工业环境下的可靠运行。
该芯片广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS 系统以及照明电子镇流器等。其高速驱动能力使其特别适合用于需要高开关频率的现代功率转换系统。
IXDN630AI, IXDN620CI, TC4420, MIC502
