IXDN604SIATR 时间：2025/5/26 21:20:41 阅读：10

IXDN604SIATR是Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-223封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用中，其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效功率管理的理想选择。
　　这款MOSFET设计用于在高频开关条件下实现高效率和低功耗，同时具有出色的热性能和电气性能。

参数

型号：IXDN604SIATR
　　封装：SOT-223
　　VDS（漏源极电压）：60V
　　RDS(on)（导通电阻）：45mΩ（典型值，VGS=10V）
　　IDS（连续漏极电流）：4A
　　VGS（栅源极电压）：±20V
　　f（工作频率）：最高支持几百kHz
　　功耗：具体取决于应用条件
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

IXDN604SIATR具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
　　2. 高电流处理能力，能够承受高达4A的连续漏极电流。
　　3. 小巧的SOT-223封装，节省PCB空间，并提供良好的散热性能。
　　4. 支持宽范围的工作温度，从-55°C到+150°C，适用于各种恶劣环境。
　　5. 快速开关性能，适合高频应用，降低开关损耗。
　　6. 高可靠性设计，具备较强的抗静电能力和电气稳定性。
　　7. 符合RoHS标准，环保无铅材料。

应用

IXDN604SIATR适用于多种电力电子应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 各类负载切换电路。
　　5. 电池管理系统中的保护开关。
　　6. 汽车电子领域中的直流电机控制和电源管理。
　　7. 工业自动化设备中的功率调节与分配。