IXDN55N120DU1 时间：2025/8/6 0:55:33 阅读：28

IXDN55N120DU1 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的高功率 MOSFET 模块，专为高性能电力电子应用设计。该模块采用双功率 MOSFET 结构，适用于需要高效率、高可靠性和高性能的功率转换系统，如开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器和工业自动化系统等。该模块封装形式为 TO-247，具备良好的热管理和电气性能。

参数

类型：功率 MOSFET 模块
　　最大漏极电流（ID）：55A
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.14Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值 150nC
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：TO-247
　　配置：双MOSFET（半桥）

特性

IXDN55N120DU1 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（1200V）使其适用于高电压系统，同时具备较高的电流承载能力（55A），适合高功率密度设计。其次，该模块的导通电阻较低，典型值为 0.14Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，模块内部集成两个 MOSFET 器件，通常为半桥结构，简化了电路设计并减少了外部元件数量。该模块还具备良好的热性能，TO-247 封装提供了有效的散热路径，确保在高负载下仍能保持稳定运行。最后，IXDN55N120DU1 在制造过程中采用了先进的功率 MOSFET 工艺技术，确保了高可靠性和长使用寿命，适用于严苛的工业环境。

应用

该模块广泛应用于多种高功率电力电子系统中。典型应用包括高功率开关电源、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）。由于其半桥结构，IXDN55N120DU1 也常用于需要高效率和高可靠性的桥式拓扑结构中。此外，它还可用于工业自动化设备、电源管理系统和高频功率转换器等场景。