IXDN55N120D1
时间:2023/3/7 14:50:27
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制造商: IXYS
封装 / 箱体: SOT-227B
概述
制造商: IXYS
封装 / 箱体: SOT-227B
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.3 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
封装: Tube
配置: Single Dual Emitter
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
IXDN55N120D1参数
- 标准包装10
- 类别半导体模块
- 家庭IGBT
- 系列-
- IGBT 类型NPT
- 配置单一
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)2.8V @ 15V,55A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100A
- 电流 - 集电极截止(最大)3.8mA
- Vce 时的输入电容 (Cies)3.3nF @ 25V
- 功率 - 最大450W
- 输入标准型
- NTC 热敏电阻无
- 安装类型底座安装
- 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装SOT-227B