IXDN514D1T/R 时间：2025/8/6 5:27:38 阅读：23

IXDN514D1T/R是一款由Littelfuse公司生产的MOSFET驱动芯片，属于MOSFET驱动器系列。该芯片专为高频率和高效能的功率转换应用而设计，适用于半桥和全桥拓扑结构。其主要功能是提供足够的驱动电流来快速开启和关闭功率MOSFET或IGBT，从而提高系统的效率和可靠性。IXDN514D1T/R采用了高速CMOS技术，具备低传播延迟和出色的抗噪性能。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　电源电压：10V ~ 20V
　　输出电流：峰值电流1.4A（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：8引脚SOIC
　　延迟时间（典型值）：18ns
　　驱动器配置：半桥
　　输入信号类型：TTL兼容
　　输出端口数量：2个
　　上升/下降时间（典型值）：10ns/8ns
　　静态电流：100μA（最大值）
　　封装尺寸：5.00mm x 4.00mm
　　封装高度：1.75mm

特性

IXDN514D1T/R具备多项高性能特性，能够满足现代电力电子系统对高速和高效能的需求。首先，它支持10V至20V的宽电源电压范围，使其适用于多种MOSFET和IGBT的应用场景。其次，该芯片的输出峰值电流可达1.4A，有助于快速驱动功率器件，从而减少开关损耗并提高效率。
　　该芯片的传播延迟时间仅为18ns，确保了在高频开关应用中的精确控制。同时，上升时间和下降时间分别为10ns和8ns，使得开关过程更加迅速，进一步提升系统的响应能力。IXDN514D1T/R还具备低静态电流特性，最大值为100μA，有助于降低待机功耗，提高系统的能效。
　　其输入信号兼容TTL电平，便于与各种控制器或微处理器接口连接。此外，该驱动器采用8引脚SOIC封装，体积小巧，适用于紧凑型设计，并具备良好的热稳定性。该芯片的温度范围为-40°C至+85°C，适应各种恶劣工作环境。
　　在抗干扰方面，IXDN514D1T/R具备出色的抗噪性能，能够在高噪声环境中保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和安全性。

应用

IXDN514D1T/R广泛应用于需要高速MOSFET或IGBT驱动的功率转换系统中。常见应用包括DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电源管理系统等。由于其优异的性能，该芯片特别适合用于高频开关电源设计，如同步整流器和高效能电源适配器。此外，在电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及电池管理系统（BMS）等新能源领域，IXDN514D1T/R也具有广泛的应用前景。