时间：2025/8/5 15:57:12
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IXDN414CM 是一款由 IXYS 公司制造的高速 MOSFET 驱动器集成电路，广泛应用于功率电子领域。该器件专为驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 设计，具有高驱动能力和快速响应时间，适用于需要高频开关性能的应用场景。
工作电压：10V 至 20V
输出电流：±4.0A（峰值）
传播延迟：17ns（典型值）
上升时间：8ns（典型值）
下降时间：6ns（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
IXDN414CM 采用先进的高压集成电路技术，能够在高噪声环境中提供稳定可靠的驱动性能。该芯片内置欠压锁定保护功能，防止在低电压情况下工作，确保功率器件的安全运行。其推挽式输出结构能够提供对称的高低边驱动能力，确保 MOSFET 或 IGBT 的快速开通与关断，从而减少开关损耗并提高系统效率。此外，IXDN414CM 还具备高抗干扰能力，能够有效抵御外部电磁干扰，保证驱动信号的稳定性。该器件封装形式为 8 引脚 SOIC，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。
在性能方面，IXDN414CM 的高速特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器、电源管理系统以及各种高频功率转换设备中。其宽泛的工作电压范围（10V 至 20V）使得它可以兼容多种类型的功率器件，并适应不同的应用需求。同时，芯片的低静态电流设计也有助于降低系统功耗，提高整体能效。
IXDN414CM 主要用于电力电子变换器、高频开关电源、电机控制、工业自动化设备、UPS 不间断电源系统、逆变器和光伏逆变器等应用场景。由于其高速驱动能力和出色的抗干扰性能，该器件特别适合用于对效率和稳定性要求较高的功率转换系统中。
IXDN414CI, IXDN414PI, TC4420, TC4429, MIC5026
