类型：MOSFET驱动器
　　封装类型：TO-247
　　电源电压：10V 至 20V
　　输出电流：±3.5A（典型值）
　　传播延迟：13ns（典型值）
　　上升时间：8ns（典型值）
　　下降时间：6ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　栅极驱动电压范围：10V 至 20V
　　输入信号类型：TTL/CMOS 兼容
　　最大功耗：2.5W

IXDN35N120DU1 是一款专为高频率功率转换应用优化的MOSFET驱动器。该器件采用高速CMOS工艺制造，具备极低的传播延迟（13ns）和非常快的上升/下降时间（分别为8ns和6ns），能够实现高效率的开关操作。其输出电流能力高达±3.5A，能够有效驱动大功率MOSFET和IGBT器件，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动系统。
　　该芯片支持10V至20V的宽输入电压范围，确保在不同应用条件下都能提供稳定的驱动能力。其输入端兼容TTL和CMOS电平，方便与各种控制器和微处理器接口连接。IXDN35N120DU1 采用TO-247封装，具备优异的热管理和散热能力，能够在高负载环境下长期稳定运行。
　　此外，该器件内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止因供电不足导致的误操作。其高抗噪能力和良好的电磁兼容性（EMC）使其适用于工业和汽车等电磁环境复杂的场景。IXDN35N120DU1 还具备过热保护功能，确保在异常工作条件下不会损坏芯片。

IXDN35N120DU1 广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动系统、逆变器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。该器件也常用于汽车电子、电力电子设备和可再生能源系统中，作为MOSFET或IGBT的高效驱动解决方案。

IXDN35N120AFW、IXDN35N120CW、IXDN35N120CWA、IXDN35N120CFW