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IXDI609SITR 发布时间 时间:2025/5/12 13:25:16 查看 阅读:2

IXDI609SITR 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道逻辑电平 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。它在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中表现出色。
  该芯片设计用于承受高电流和高电压的场景,并且能够有效降低功耗。其出色的性能使其成为许多设计工程师的理想选择。

参数

型号:IXDI609SITR
  封装:SO-8
  VDS(漏源极击穿电压):90V
  RDS(on)(导通电阻):17mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
  ID(连续漏极电流):52A
  VGS(栅源电压):±20V
  fT(特征频率):4.5MHz
  Qg(总栅极电荷):13nC
  EAS(雪崩能量):32mJ
  Tj(结温范围):-55°C 至 +150°C

特性

IXDI609SITR 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力。其 RDS(on) 在 VGS=10V 时仅为 17mΩ,这显著降低了导通损耗。
  此外,该器件还具备快速开关性能,特征频率 fT 达到 4.5MHz,适合高频应用。
  其封装形式为 SO-8,这种封装不仅紧凑而且散热性能良好。
  这款 MOSFET 还支持逻辑电平驱动,意味着可以用较低的栅极驱动电压(如 5V 或 10V)来实现高效的开关操作。
  同时,IXDI609SITR 的 VDS 额定值为 90V,可适应较宽的电压范围,非常适合需要稳定性和可靠性的电路设计。

应用

IXDI609SITR 广泛应用于各种功率转换领域,包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统 (BMS) 和逆变器等。
  在汽车电子领域,它可以用于电源管理模块、LED 驱动器以及电动助力转向系统。
  在工业控制中,该器件常被用来构建高效能的开关电源和负载开关。
  此外,IXDI609SITR 也适用于消费类电子产品中的功率调节电路,例如笔记本电脑适配器和家用电器的控制器。

替代型号

IXTH5N90P3
  IXFH40N90P3
  IRLB8748PBF

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IXDI609SITR参数

  • 标准包装2,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型反相
  • 延迟时间40ns
  • 电流 - 峰9A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SOIC-EP
  • 包装带卷 (TR)