IXDI609SITR 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道逻辑电平 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。它在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中表现出色。
该芯片设计用于承受高电流和高电压的场景,并且能够有效降低功耗。其出色的性能使其成为许多设计工程师的理想选择。
型号:IXDI609SITR
封装:SO-8
VDS(漏源极击穿电压):90V
RDS(on)(导通电阻):17mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
ID(连续漏极电流):52A
VGS(栅源电压):±20V
fT(特征频率):4.5MHz
Qg(总栅极电荷):13nC
EAS(雪崩能量):32mJ
Tj(结温范围):-55°C 至 +150°C
IXDI609SITR 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力。其 RDS(on) 在 VGS=10V 时仅为 17mΩ,这显著降低了导通损耗。
此外,该器件还具备快速开关性能,特征频率 fT 达到 4.5MHz,适合高频应用。
其封装形式为 SO-8,这种封装不仅紧凑而且散热性能良好。
这款 MOSFET 还支持逻辑电平驱动,意味着可以用较低的栅极驱动电压(如 5V 或 10V)来实现高效的开关操作。
同时,IXDI609SITR 的 VDS 额定值为 90V,可适应较宽的电压范围,非常适合需要稳定性和可靠性的电路设计。
IXDI609SITR 广泛应用于各种功率转换领域,包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统 (BMS) 和逆变器等。
在汽车电子领域,它可以用于电源管理模块、LED 驱动器以及电动助力转向系统。
在工业控制中,该器件常被用来构建高效能的开关电源和负载开关。
此外,IXDI609SITR 也适用于消费类电子产品中的功率调节电路,例如笔记本电脑适配器和家用电器的控制器。
IXTH5N90P3
IXFH40N90P3
IRLB8748PBF