IXDF602SI 是一款由 IXYS 公司制造的双通道高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路。该芯片设计用于功率电子设备中,以提供高效、可靠的驱动能力,适用于各种高功率应用,如电机控制、逆变器、电源转换系统等。IXDF602SI 采用双通道结构,每个通道都具有独立的输入和输出驱动电路,支持高边和低边配置。该器件内置了保护功能,例如欠压锁定(UVLO)和交叉传导保护,以确保系统在各种工作条件下的稳定性与安全性。
供电电压:10V 至 30V
输出电流:±1.6A(峰值)
传播延迟:110ns(典型值)
上升时间:50ns(典型值)
下降时间:35ns(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:SOIC-16
IXDF602SI 驱动器具备双通道高边/低边输出结构,能够独立控制每个通道的驱动信号,使其适用于半桥和全桥拓扑结构。该芯片的输入逻辑兼容 TTL 和 CMOS 电平,使得其能够与各种控制器或微处理器无缝连接。其内部集成的死区时间控制功能可防止上下桥臂同时导通,从而避免短路和交叉传导现象的发生。
此外,IXDF602SI 还内置了欠压锁定(UVLO)保护机制,当供电电压低于设定阈值时,输出将被禁用,以防止在低电压条件下功率器件误动作。该芯片还具备高抗噪能力,确保在高频开关环境下依然保持稳定工作。其封装形式为 SOIC-16,适用于表面贴装工艺,便于 PCB 布局和自动化生产。
IXDF602SI 广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于电机驱动器、逆变器、DC-AC 转换器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备和电动汽车充电系统。由于其高驱动能力和内置保护功能,该芯片特别适用于需要高可靠性和高效率的开关应用场合。在电机控制应用中,IXDF602SI 可用于驱动 MOSFET 或 IGBT 模块,实现对电机速度和扭矩的精确控制。在电源转换系统中,该芯片可用于构建高效率的同步整流电路或 DC-DC 转换器。
IR2110、LM5112、TC4420、FAN7393