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IXDF602SI 发布时间 时间:2025/7/25 15:05:21 查看 阅读:5

IXDF602SI 是一款由 IXYS 公司制造的双通道高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路。该芯片设计用于功率电子设备中,以提供高效、可靠的驱动能力,适用于各种高功率应用,如电机控制、逆变器、电源转换系统等。IXDF602SI 采用双通道结构,每个通道都具有独立的输入和输出驱动电路,支持高边和低边配置。该器件内置了保护功能,例如欠压锁定(UVLO)和交叉传导保护,以确保系统在各种工作条件下的稳定性与安全性。

参数

供电电压:10V 至 30V
  输出电流:±1.6A(峰值)
  传播延迟:110ns(典型值)
  上升时间:50ns(典型值)
  下降时间:35ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-16

特性

IXDF602SI 驱动器具备双通道高边/低边输出结构,能够独立控制每个通道的驱动信号,使其适用于半桥和全桥拓扑结构。该芯片的输入逻辑兼容 TTL 和 CMOS 电平,使得其能够与各种控制器或微处理器无缝连接。其内部集成的死区时间控制功能可防止上下桥臂同时导通,从而避免短路和交叉传导现象的发生。
  此外,IXDF602SI 还内置了欠压锁定(UVLO)保护机制,当供电电压低于设定阈值时,输出将被禁用,以防止在低电压条件下功率器件误动作。该芯片还具备高抗噪能力,确保在高频开关环境下依然保持稳定工作。其封装形式为 SOIC-16,适用于表面贴装工艺,便于 PCB 布局和自动化生产。

应用

IXDF602SI 广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于电机驱动器、逆变器、DC-AC 转换器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备和电动汽车充电系统。由于其高驱动能力和内置保护功能,该芯片特别适用于需要高可靠性和高效率的开关应用场合。在电机控制应用中,IXDF602SI 可用于驱动 MOSFET 或 IGBT 模块,实现对电机速度和扭矩的精确控制。在电源转换系统中,该芯片可用于构建高效率的同步整流电路或 DC-DC 转换器。

替代型号

IR2110、LM5112、TC4420、FAN7393

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IXDF602SI参数

  • 标准包装100
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型反相和非反相
  • 延迟时间35ns
  • 电流 - 峰2A
  • 配置数2
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SOIC-EP
  • 包装管件