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IXDE509D1T/R 发布时间 时间:2025/8/6 4:10:52 查看 阅读:32

IXDE509D1T/R 是由 IXYS 公司生产的一款双通道、高速、低侧栅极驱动器集成电路,专为驱动功率MOSFET和IGBT而设计。该芯片常用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和开关电源等应用中,提供高效的栅极驱动能力,同时具备较强的抗干扰能力和可靠性。

参数

工作电压范围:4.5V 至 20V
   输出电流(峰值):每通道 4.0A
   输入逻辑类型:兼容CMOS/TTL
   工作温度范围:-40°C 至 +125°C
   封装形式:TSOP(5引脚)
   上升/下降时间:约10ns(典型值)
   静态电流:小于200μA
   输出端电压耐受范围:-0.3V 至 25V

特性

IXDE509D1T/R 是一款高效的栅极驱动IC,具备高速开关能力和强大的输出驱动电流,能够显著提升功率器件的开关性能并减少开关损耗。其双通道设计适用于多种桥式拓扑结构,如半桥和全桥变换器。芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于设定阈值时会自动关闭输出,防止功率器件在非理想状态下工作。
  此外,该器件具有出色的抗噪声干扰能力,输入端具备施密特触发器设计,能够有效防止输入信号抖动带来的误触发问题。输出端采用非反相和反相双模式设计,便于与各种功率器件匹配使用。该芯片还具备低传播延迟和通道间匹配性,使两个通道的开关时间差异极小,有助于提高系统的稳定性和效率。
  在封装方面,IXDE509D1T/R采用小型TSOP封装,节省PCB空间并便于布局,适合高密度功率转换应用。其宽输入电压范围也使其适用于多种电源系统。

应用

该芯片广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及汽车电子系统中的功率控制模块。此外,IXDE509D1T/R也常用于高频逆变器、太阳能逆变器及储能系统中,以提高整体系统的效率和稳定性。

替代型号

IXDE509D1T/R 可以用 IXDE510、IX4427、LM5114、IRS2001 等型号作为替代。这些器件在输出电流、工作电压和封装形式等方面具有相似或接近的性能指标,适用于类似的应用场景。具体替代需根据实际电路需求和外围元件设计进行验证。

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IXDE509D1T/R参数

  • 制造商IXYS
  • 类型Low Side
  • 上升时间45 ns
  • 下降时间40 ns
  • Supply Voltage - Min4.5 V
  • 电源电流75 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装Box
  • 配置Inverting
  • 最小工作温度- 55 C
  • 激励器数量1
  • 输出端数量1
  • 工厂包装数量1000