时间：2025/8/6 11:00:58
阅读：22
IXDE509D1 是一款由 IXYS 公司设计制造的双路 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的高压技术，能够在高电压和高电流条件下稳定工作，适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：功率 MOSFET
通道类型：双路 N 沟道
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：5.5A（每个通道）
功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
IXDE509D1 是一款高性能的双路 N 沟道 MOSFET，具备优异的电气特性和可靠性。该器件的漏源电压高达 900V，使其能够在高压环境中稳定工作，适用于如电源开关、电机控制、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源等应用。其连续漏极电流为 5.5A，能够满足中高功率系统的需求。此外，该 MOSFET 的导通电阻较低，仅为 1.2Ω，有助于减少导通损耗，提高整体效率。其封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。IXDE509D1 还具备良好的抗过载和短路能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。由于其双路通道设计，可以在同一封装中实现两个独立的功率开关功能，节省 PCB 空间并简化电路设计。此外，该器件的工作温度范围宽，可在 -55°C 至 +150°C 之间正常工作，适用于各种工业环境和恶劣条件。
IXDE509D1 适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备、照明系统以及消费类电子产品中的高压功率控制部分。由于其高耐压和双路通道特性，特别适合需要紧凑设计和高可靠性的应用场合。
IXFN50N90Q, IXTP50N90XD1
