IXDE504SIAT/R 时间：2025/8/6 10:29:39 阅读：23

IXDE504SIAT/R 是一款由 IXYS 公司设计的双路高速 MOSFET 驱动器集成电路，专为高效、高性能的功率转换应用而设计。该驱动器集成了两个独立的栅极驱动通道，支持高边和低边配置，适用于同步整流、DC-DC 转换器、电机驱动、半桥和全桥拓扑等应用场景。IXDE504SIAT/R 采用先进的高压集成电路技术（HVIC），具备良好的抗噪性能和耐压能力，确保在高 dv/dt 环境下稳定工作。该器件封装为 SOIC-16，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域的设计。

参数

类型：双通道 MOSFET 驱动器
　　封装：SOIC-16
　　电源电压：10V ~ 20V
　　输出电流（峰值）：4A（典型值）
　　传播延迟：55ns（最大值）
　　上升/下降时间：10ns / 8ns（典型值）
　　隔离电压：600V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　高边浮动电压范围：-5V ~ 600V
　　驱动方式：高低边双路驱动

特性

IXDE504SIAT/R 的主要特性之一是其双通道结构，支持独立控制高边和低边的功率 MOSFET 或 IGBT 器件。这种结构特别适合用于同步整流、DC-DC 转换、电机控制等应用，可以提高系统的整体效率和响应速度。该驱动器内置了高边自举电路，能够有效降低外围电路的复杂度，同时确保在高电压环境下稳定运行。此外，IXDE504SIAT/R 提供了快速的开关性能，其传播延迟时间仅为 55ns，上升和下降时间分别为 10ns 和 8ns，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
　　该器件采用了先进的 CMOS 工艺制造，具备较强的抗干扰能力，能够在高 dv/dt 环境中可靠工作。其浮动高边设计支持高达 600V 的电压，非常适合用于高压应用。IXDE504SIAT/R 的输入逻辑兼容 TTL 和 CMOS 电平，简化了与控制器的接口设计。此外，该驱动器还具有欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止器件在异常状态下运行，从而提高系统的稳定性和安全性。
　　IXDE504SIAT/R 的 SOIC-16 封装形式不仅节省空间，而且便于 PCB 布局，适用于紧凑型电源设计。其广泛的工作温度范围（-40°C 至 +125°C）也使其适用于工业环境中的各种应用。此外，该驱动器的高集成度和可靠性使其成为许多中高功率电源转换系统中的首选解决方案。

应用

IXDE504SIAT/R 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。其典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、电机驱动、半桥和全桥逆变器、太阳能逆变器、工业电源以及电源管理模块。在电机控制应用中，IXDE504SIAT/R 可用于驱动 H 桥结构，实现对直流电机或无刷电机的精确控制。在电源转换器中，该器件常用于驱动 MOSFET 构建同步整流电路，以提高转换效率。此外，IXDE504SIAT/R 也可用于驱动 IGBT，适用于更高电压和功率的应用场景。