IXDE504SIA 时间：2025/8/6 4:50:37 阅读：20

IXDE504SIA是一款由IXYS公司生产的双路高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路，专为电源管理和功率转换应用设计。该芯片采用先进的高压集成电路（HVIC）技术，能够直接驱动高侧和低侧的功率开关器件，广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、逆变器和电源管理系统中。IXDE504SIA具有紧凑的封装形式，能够在恶劣的工业环境中稳定工作，提供可靠且高效的驱动性能。

参数

供电电压范围：10V至20V
　　输出电流（峰值）：±4.0A（典型值）
　　传播延迟时间：25ns（典型值）
　　上升时间：10ns（典型值）
　　下降时间：8ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装类型：SOIC-16

特性

IXDE504SIA具有双通道独立驱动能力，每个通道都支持高侧和低侧配置，适用于半桥和全桥拓扑结构。其内置的交叉导通保护功能可以有效防止上下桥臂同时导通，从而避免短路和功率器件损坏。此外，该芯片具备较强的抗噪能力和高dv/dt免疫力，确保在高开关频率下的稳定运行。芯片的输入逻辑兼容CMOS和LSTTL电平，便于与各种控制器连接。IXDE504SIA还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，保护功率器件免受低电压损坏。
　　在封装方面，IXDE504SIA采用SOIC-16封装形式，具有良好的热性能和电气隔离能力，适用于各种工业和车载应用场景。其高集成度设计减少了外围元件的数量，提高了系统的可靠性和设计灵活性。

应用

IXDE504SIA广泛应用于各类功率电子系统中，如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。该芯片特别适合需要高效率、高频率开关操作和紧凑设计的电源应用。此外，IXDE504SIA也可用于驱动MOSFET和IGBT模块，在电动汽车、充电设备和智能电网系统中发挥重要作用。