IXDD614YI 是一款由 IXYS 公司推出的高性能 MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路,主要用于功率电子应用中对功率器件的高效驱动和控制。该器件采用高性能的推挽式输出结构,具备高驱动能力和快速响应特性,适用于工业电机控制、开关电源、逆变器、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器等高要求的电力电子系统。IXDD614YI 采用了先进的高压电平位移技术,使其能够在高电压工作环境下稳定运行,并且具备较强的抗干扰能力。该芯片封装形式为 16 引脚 SOIC,适合表面贴装,适用于高密度电路设计。
工作电压范围:10V 至 20V
输出峰值电流:4.0A(拉电流/灌电流)
传播延迟时间:典型值为 18ns
上升时间:典型值为 7ns
下降时间:典型值为 5ns
输入阈值电压:兼容 TTL 和 CMOS 信号(1.4V 典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
隔离电压:2500VRMS(封装隔离)
封装类型:16 引脚 SOIC
IXDD614YI 采用高压电平位移技术,使得其能够直接驱动高压侧的功率器件,例如 IGBT 或 MOSFET,而无需额外的隔离器件。其推挽输出结构具备较高的输出驱动能力,峰值电流可达 4A,能够快速充放电栅极电容,从而实现功率器件的高速开关操作,有效降低开关损耗。
该驱动器的传播延迟时间短,典型值仅为 18ns,并且上升时间和下降时间分别低至 7ns 和 5ns,确保了对功率器件的精确控制,适用于高频开关应用。其输入端兼容 TTL 和 CMOS 逻辑电平,便于与各种控制器(如 DSP、FPGA 或 MCU)连接。
芯片内部集成了欠压保护功能,当供电电压低于设定阈值时,输出将被强制为低电平,防止功率器件在非理想条件下工作。此外,IXDD614YI 的封装具有良好的隔离性能,提供高达 2500VRMS 的电气隔离,增强了系统的安全性和可靠性。
该器件的工作温度范围宽,可在 -40°C 至 +125°C 环境下稳定运行,适用于严苛的工业和车载环境。16 引脚 SOIC 封装形式支持表面贴装工艺,有利于自动化生产与高密度 PCB 布局。
IXDD614YI 主要应用于需要高效驱动高压功率器件的场合,如工业电机驱动器、变频器、开关电源(SMPS)、UPS、太阳能逆变器、电焊机和感应加热设备等。其高速驱动能力和高压隔离特性也使其适用于电动车(EV)和充电桩中的功率变换系统。
IXDD614PI, IXDD615PI, IR2110, TC4420