时间：2025/5/13 9:24:05
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IXDD604SIATR是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于各种电源管理和功率转换领域，例如电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等。其耐压能力为60V，适合中低压应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：79nC
开关时间：典型值ton=18ns，toff=12ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IXDD604SIATR具备低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗，提升系统效率。同时，该器件的高雪崩能力和坚固的结构使其能够在严苛条件下稳定运行。
此外，它的快速开关特性有助于减少开关损耗，并且与控制器IC兼容的逻辑电平驱动使得设计更加灵活。得益于TO-263-3封装的出色散热性能，这款MOSFET非常适合高密度功率应用。
IXDD604SIATR适用于多种电力电子设备中的功率转换和控制场景，包括但不限于以下领域：
- DC-DC转换器中的功率开关
- 汽车电子中的电机驱动和负载管理
- 工业自动化中的继电器替代方案
- 笔记本电脑适配器及充电器
- 各类负载开关和保护电路
IXTH80N10L2T2
IRF840
FDP17N10
