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IXDD604SIATR 发布时间 时间:2025/5/13 9:24:05 查看 阅读:22

IXDD604SIATR是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,广泛应用于各种电源管理和功率转换领域,例如电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等。其耐压能力为60V,适合中低压应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:79nC
  开关时间:典型值ton=18ns,toff=12ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IXDD604SIATR具备低导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗,提升系统效率。同时,该器件的高雪崩能力和坚固的结构使其能够在严苛条件下稳定运行。
  此外,它的快速开关特性有助于减少开关损耗,并且与控制器IC兼容的逻辑电平驱动使得设计更加灵活。得益于TO-263-3封装的出色散热性能,这款MOSFET非常适合高密度功率应用。

应用

IXDD604SIATR适用于多种电力电子设备中的功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
  - DC-DC转换器中的功率开关
  - 汽车电子中的电机驱动和负载管理
  - 工业自动化中的继电器替代方案
  - 笔记本电脑适配器及充电器
  - 各类负载开关和保护电路

替代型号

IXTH80N10L2T2
  IRF840
  FDP17N10

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IXDD604SIATR参数

  • 标准包装2,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间29ns
  • 电流 - 峰4A
  • 配置数2
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)