IXDD604SIATR是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,广泛应用于各种电源管理和功率转换领域,例如电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等。其耐压能力为60V,适合中低压应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:45A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:79nC
开关时间:典型值ton=18ns,toff=12ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
IXDD604SIATR具备低导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗,提升系统效率。同时,该器件的高雪崩能力和坚固的结构使其能够在严苛条件下稳定运行。
此外,它的快速开关特性有助于减少开关损耗,并且与控制器IC兼容的逻辑电平驱动使得设计更加灵活。得益于TO-263-3封装的出色散热性能,这款MOSFET非常适合高密度功率应用。
IXDD604SIATR适用于多种电力电子设备中的功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
- DC-DC转换器中的功率开关
- 汽车电子中的电机驱动和负载管理
- 工业自动化中的继电器替代方案
- 笔记本电脑适配器及充电器
- 各类负载开关和保护电路
IXTH80N10L2T2
IRF840
FDP17N10