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IXDD430CI 发布时间 时间：2024/9/25 11:08:04 查看 阅读：1633

目录

参数

制造商:IXYS
　　类型:Low Side
　　上升时间:20 ns
　　下降时间:18 ns
　　传播延迟时间:45 ns
　　电源电压（最大值）:35 V
　　电源电压（最小值）:8.5 V
　　电源电流:3 mA
　　最大功率耗散:2000 mW
　　激励器数量:1
　　输出端数量:1
　　输出电流:30 A(Typ)
　　最大关闭延迟时间:39 ns
　　最大开启延迟时间:45 ns

封装参数

封装/箱体:TO-220
　　封装:Box
　　安装风格:Through Hole

物理参数

最大工作温度:+125 C
　　最小工作温度:-55 C

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IC词条百科

IXDD430CI参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间41ns
  • 电流 - 峰30A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大（自引导启动）-
  • 电源电压8.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-5
  • 供应商设备封装TO-220-5
  • 包装盒
  • 配用EVDD430CI-ND - BOARD EVALUATION IXDD430CI

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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