时间：2025/8/5 22:17:16
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IXD35N60BD1是一款由IXYS公司设计制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的开关电源、DC-DC转换器和电机控制等领域。这款MOSFET采用TO-220封装，具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：35A
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
IXD35N60BD1具有优异的热稳定性和电气性能，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下也能实现较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用，同时其封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下可靠运行。
此外，IXD35N60BD1内置了快速恢复二极管（FRD），这在某些拓扑结构中可以减少外部元件的数量，简化电路设计。该器件的栅极驱动要求较低，可兼容标准的逻辑驱动电路，进一步提高了其在各种应用中的适用性。
为了确保在恶劣环境下的稳定运行，IXD35N60BD1具备较高的雪崩能量耐受能力，并且通过了多项工业标准的认证，确保其在长期运行中的可靠性。
IXD35N60BD1主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制、太阳能逆变器以及工业自动化设备中。其优异的性能和可靠性也使其成为汽车电子系统中某些高要求应用的理想选择。
IRF35N60BD1, FQA35N60FD
