IXCY60M35 时间：2025/8/6 1:20:33 阅读：25

IXCY60M35 是由IXYS公司（现为Littelfuse子公司）生产的一款高电压、大电流的MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-247封装，具有良好的导热性和高耐压能力，适用于多种高功率开关应用，如电源转换器、电机驱动器、逆变器和工业控制设备等。IXCY60M35 设计用于在高频率下工作，提供高效的电能转换性能，同时具备较低的导通损耗和开关损耗。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：350V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值0.115Ω（典型值0.095Ω）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXCY60M35 是一款高性能的功率MOSFET，具有多项优异的电气和热性能。其高电压能力（350V VDS）使其适用于高电压输入的电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和不间断电源（UPS）等。
　　该器件的导通电阻较低，典型值为0.095Ω，最大为0.115Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，IXCY60M35 具有快速开关特性，支持高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统功率密度。
　　该MOSFET采用先进的平面技术制造，确保了稳定的性能和高可靠性。其封装形式为TO-247，具备良好的散热能力，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度，延长器件寿命。
　　IXCY60M35 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护作用，适用于需要高稳定性和抗干扰能力的工业应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，支持±20V，允许使用多种栅极驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　在应用中，IXCY60M35 通常用于半桥或全桥拓扑结构中，支持高效的功率转换。由于其优异的导通和开关性能，该器件在电动工具、工业电机控制、焊接设备、光伏逆变器和电动汽车充电系统中得到了广泛应用。

应用

IXCY60M35 广泛应用于需要高电压、大电流处理能力的电力电子系统中。例如，在电源供应器中，它可作为主开关元件用于DC-DC或AC-DC转换器。在电机驱动和变频器中，该MOSFET可作为逆变器桥式开关，用于控制交流电机的速度和方向。此外，该器件也常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统中。