IXCY40M35A 时间：2025/8/6 2:42:04 阅读：27

IXCY40M35A 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司）制造的高电压、高电流功率 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件专为高功率、高效率的电源转换系统设计，例如在工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器和电机控制等领域中广泛应用。该 MOSFET 具备优异的导通和开关性能，同时具有良好的热管理和高可靠性。

参数

类型：功率MOSFET
　　封装：TO-247
　　漏源电压（Vds）：350V
　　漏极电流（Id）：40A（Tc=25℃）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.5V ~ 5V
　　导通电阻（Rds(on)）：42mΩ（最大值）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　栅极电荷（Qg）：100nC（典型值）
　　漏源击穿电压：350V
　　封装材料：塑料

特性

IXCY40M35A 具备多项优异的电气和热性能。首先，该器件的导通电阻较低，典型值为 42mΩ，可以有效降低导通损耗，提高整体系统的效率。其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 40A，在高功率负载下能够保持稳定的性能。此外，其 350V 的漏源电压使其适用于中高压电源系统。该器件的栅极阈值电压在 3.5V 到 5V 之间，支持常见的驱动电路设计，确保开关控制的灵活性。
　　IXCY40M35A 还具备出色的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高转换效率。该 MOSFET 的 TO-247 封装提供良好的散热能力，适合高功率应用。此外，该器件的工作温度范围宽达 -55℃ 到 +150℃，可在各种严苛环境下稳定运行，增强了其可靠性与耐用性。
　　从安全性和保护角度来看，IXCY40M35A 采用了先进的硅技术和封装设计，具备良好的短路耐受能力，降低了因过载或故障引起的失效风险。这种设计使其非常适合用于工业和电源管理系统中。

应用

IXCY40M35A 适用于多种高功率和高效率的电源应用，包括但不限于工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电机控制、电池充电系统以及各种 DC-DC 转换器。其优异的导通性能和高耐压特性使其成为高效率功率转换系统中的理想选择。在工业自动化设备中，该器件可用于控制电机、驱动器和其他高功率负载。此外，它还可以用于高频开关电源，以降低损耗并提高系统整体效率。由于其良好的热管理和可靠性，该 MOSFET 也广泛应用于汽车电子、能源存储系统和电力调节设备。